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氮化鎵單晶在新型顯示領(lǐng)域的應(yīng)用:microLED 技術(shù)

氮化鎵單晶在新型顯示領(lǐng)域的應(yīng)用:microLED 技術(shù)

概要:
概要:
詳情
  • 氮化鎵單晶:更小的尺寸、更高高分辨率,芯片波長一致性,更小的漏電流,在小電流驅(qū)動下更高的效率,同質(zhì)外延MicroLED技術(shù)通向“摩爾定律”之路。
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WLD=472.5nm,std=0.9nm

WLD=472.5nm,std=0.9nm

氮化鎵單晶襯底上同質(zhì)外延芯片的波長一致性,有助于解決海量分選問題和巨量轉(zhuǎn)移問題。

氮化鎵單晶襯底上同質(zhì)外延的芯片表現(xiàn)出較好的發(fā)光均勻性。

 

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更小的漏電流

小電流驅(qū)動下更高的效率

氮化鎵單晶在新型顯示領(lǐng)域的應(yīng)用:激光投影顯示

  • 氮化鎵單晶:氮化鎵單晶襯底是激光顯示技術(shù)路線的唯一襯底技術(shù)。

 

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