產(chǎn)品應(yīng)用
Product Applications
氮化鎵單晶襯底在射頻電子領(lǐng)域的應(yīng)用
- 分類：應(yīng)用領(lǐng)域
- 發(fā)布時(shí)間：2022-09-26 10:35:40
- 訪問(wèn)量：0
概要:
詳情
- 基于GaN材料的射頻器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(yōu)勢(shì)，是迄今最理想的半導(dǎo)體射頻電子器件。
- 基于氮化鎵單晶襯底的HEMT器件，為同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻率、寬頻譜、高效率、高功率密度、高可靠性提供解決方案。
- 半絕緣氮化鎵，F(xiàn)e摻雜，C摻雜
 |
 |
 |
聯(lián)系我們
地址：蘇州工業(yè)園區(qū)東蕩田巷一號(hào)
銷售總監(jiān)：
戴冬云：15962257010
郵 箱：daidongyun@nanowin.com.cn
銷售助理：17712482910
郵 箱：sales-asst@nanowin.com.cn
在線留言
客戶留言
描述：
159-6225-7010 
在線咨詢 
